YbNiGa$_{4}$ 与 YbNiIn$_{4}$ 中压力依赖的中间价行为
强关联电子
2019-01-30 v1
摘要
我们报道了中间价材料 YbNiGa 和 YbNiIn 在高达 60 GPa 压力下的综合结构与价态研究。YbNiGa 经历平滑的体积收缩，并显示出 Yb 价态随压力的稳步增加，尽管 Yb 价态在约 25 GPa 达到饱和。在 YbNiIn 中，体积的压力依赖性变化和 Yb 价态的峰值表明在约 10-14 GPa 发生了压力诱导的电子拓扑相变。在 YbNiIn 和 YbNiGa 具有相似 Yb-Yb 间距的压力区域，Yb 价态出现骤降。这一骤降未被密度泛函理论计算捕捉到，意味着晶格自由度和化学环境对确立 Yb 价态都起着重要作用。
引用
@article{arxiv.1812.06074,
title = {Pressure dependent intermediate valence behavior in YbNiGa$_{4}$ and YbNiIn$_{4}$},
author = {Z. E. Brubaker and R. L. Stillwell and P. Chow and Y. Xiao and C. Kenney-Benson and R. Ferry and D. Popov and S. B. Donald and P. Söderlind and D. J. Campbell and J. Paglione and K. Huang and R. E. Baumbach and R. J. Zieve and J. R. Jeffries},
journal= {arXiv preprint arXiv:1812.06074},
year = {2019}
}