生长界面的普适涨落：向列液晶湍流中的证据
统计力学
2010-06-15 v3 数学物理
math.MP
摘要
我们研究了向列液晶电对流中拓扑缺陷湍流的生长界面。该界面表现出自仿射粗糙化，其特征在于 1+1 维 Kardar-Parisi-Zhang 理论的空间和时间标度律。此外，我们揭示了界面涨落的分布和两点关联是由随机矩阵最大特征值支配的普适量。这为规定了标度不变涨落详细信息的普适性提供了定量的实验证据。
引用
@article{arxiv.1001.5121,
title = {Universal Fluctuations of Growing Interfaces: Evidence in Turbulent Liquid Crystals},
author = {Kazumasa A. Takeuchi and Masaki Sano},
journal= {arXiv preprint arXiv:1001.5121},
year = {2010}
}
备注
4 pages, 5 figures; minor changes made; note added