应变过渡金属二硫化物单层中的单向谷对比光电流
介观与纳米尺度物理
2022-05-23 v3 材料科学
摘要
我们研究了在存在无序的情况下，掺杂有限载流子浓度的单轴应变过渡金属二硫化物单层在导带中的完整静态非线性光学响应。我们发现通常的位移电流受到抑制，但我们发现了一种强烈的、依赖于谷的非互易响应，我们将其称为单向谷对比光电流（UVCP）。这种直流电流源于应变和三角翘曲引起的克莱默对称性破缺的共同作用，而单个谷的贡献可以通过磁化在它们之间引入能量偏移来分离。后一事实使得人们能够监测谷间跃迁。UVCP 与迁移率成正比，并通过激子库仑相互作用、谷间散射以及顶栅偏压得到增强。我们讨论了在最先进的实验中检测该效应的策略。
引用
@article{arxiv.2108.10438,
title = {Unidirectional valley-contrasting photo-current in strained transition metal dichalcogenide monolayers},
author = {Reza Asgari and Dimitrie Culcer},
journal= {arXiv preprint arXiv:2108.10438},
year = {2022}
}
备注
Main text: 33 pages, 9 figures