原子级薄过渡金属硫族化合物合成的实数光学观测与控制
材料科学
2018-08-16 v1
摘要
理解原子级薄过渡金属硫族化合物（TMDCs）化学气相沉积（CVD）合成所涉及的机制，需要精确控制众多生长参数。所有提出的机制及其与生长条件的关联，均来自对盲目中止生长所获得的中间产物的表征推断。为充分理解导致单层形成的反应路径，需要对生长进行实时观测与控制。在此，我们展示如何利用定制CVD腔体（可进行实时光学监测）研究盐辅助TMDC合成中对所需层状薄晶体生产至关重要的反应路径。我们的实时观测揭示了盐与金属前驱体反应生成导致层状晶体形成的中间化合物。我们确认气-固-固与气-液-固生长路径存在相互作用。此外，我们展示了H在盐辅助WSe合成中的作用。最后，我们通过预图案化通道引导液态中间化合物来实现晶体形成的导向。本文所呈方法可推广至其他可通过CVD合成的材料。
引用
@article{arxiv.1808.05036,
title = {Real time optical observation and control of atomically thin transition metal dichalcogenide synthesis},
author = {Hamid Reza Rasouli and Naveed Mehmood and Onur Çakıroğlu and T. Serkan Kasırga},
journal= {arXiv preprint arXiv:1808.05036},
year = {2018}
}