一维电学格点中局域与扩展激发的输运

我们研究由一维耦合 LC 单元阵列构成的双电感电学格点的散射性质。对于一个初始局域的电学激发，在没有任何杂质的情况下，我们以封闭形式计算了无限和半无限格点情形下初始局域电学激发的均方位移，在非常一般的条件下获得了弹道传播。对于扩展激发的输运，我们以封闭形式计算了电感平面波穿过杂质区的透射系数，该杂质区包含若干侧耦合单元，或具有与第一和第二近邻耦合的单个内部杂质，以寻找 Fano 共振（FRs）的存在。对于所有考察的情况，我们都获得了 FR 位置关于所涉及电感耦合相对强度的封闭形式表达式。对于两个相同侧耦合杂质的情况，单个 FR 的位置被发现与两个杂质之间的相对距离无关。