单电子晶体管的瞬态隧穿电流
介观与纳米尺度物理
2007-05-23 v1
摘要
对单电子晶体管的瞬态隧穿电流进行了理论研究。应用Jauho、Wingreen和Meir [Phys. Rev. B 50, 5528 (1994)]给出的含时电流公式，研究了温度对通过嵌入不对称势垒的单量子点瞬态电流的影响。发现隧穿率比显著影响瞬态电流的特征。最后，分析了由锗量子点构成的单空穴晶体管指数增长瞬态电流上的振荡结构。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0512378,
title = {Transient tunneling current of single electron transistors},
author = {David M. -T. Kuo and Pei-Wen Li and W. T. Lai},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0512378},
year = {2007}
}
备注
4 pages and 9 figures