单电子晶体管的电导随隧穿强度的变化
介观与纳米尺度物理
2009-10-31 v1
摘要
我们研究了单电子晶体管电导随温度和栅极电压的依赖关系，特别关注高度导电器件。电子隧穿采用路径积分蒙特卡罗技术进行非扰动处理，电导通过库伯公式计算。采用正规化奇异值分解方案从虚时间模拟数据中计算电导。我们的研究结果在半经典和扰动极限下的解析结果之间起到桥梁作用，并能解释早期方法无法触及的实验结果。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0008231,
title = {Conductance of the Single Electron Transistor for Arbitrary Tunneling Strength},
author = {Georg Goeppert and Bruno Huepper and Hermann Grabert},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0008231},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 2 figures