光泵浦下单电子晶体管的隧穿电流与发射光谱
介观与纳米尺度物理
2009-11-11 v1
摘要
本文提出了单电子晶体管 (SET) 在光泵浦作用下的隧穿电流与发射光谱的理论研究。通过阿尔金森模型（包含两个能级）运用 Keldysh 绿�函数方法进行计算。研究发现，光泵浦在量子点 (QD) 中产生的空穴导致电子从发射器到收集器隧穿的新增通道。因此，电子可以通过由激子、空穴-电子对 (trion) 和双激子态 (biexciton) 构成的额外通道进行隧穿。结果表明，隧穿电流随栅极电压呈现一系列尖锐峰，峰间间距可用于确定激子束缚能以及电子-电子库仑排斥能。此外，我们还表明，量子点中激子复合物形成的单光子发射可同时通过电气和光学方式进行控制。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0506010,
title = {Tunnelling current and emission spectrum of a single electron transistor under optical pumping},
author = {David M. -T. Kuo and Yia-Chung Chang},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0506010},
year = {2009}
}
备注
24 pages, 10 figures