电荷载流子隧穿过程对单横向量子点分子中复合动力学的影响
介观与纳米尺度物理
2012-02-29 v1 其他凝聚态物理
摘要
我们报道了单横向量子点分子中的电荷载流子动力学以及外加电场对分子态的影响。可控的电子隧穿表现为偏离典型的激子衰变行为，该行为受到调谐电场和分子间库仑能的强烈影响。我们建立了一个速率方程模型，以更深入地理解电荷转移和隧穿机制。研究发现，非共振（声子介导的）电子隧穿（它改变分子激子特性，使其在直接和间接之间转换）是除辐射复合之外的主要可调激子衰变机制。
引用
@article{arxiv.0911.1221,
title = {Influence of the charge carrier tunneling processes on the recombination dynamics in single lateral quantum dot molecules},
author = {C. Hermannstädter and G. J. Beirne and M. Witzany and M. Heldmaier and J. Peng and G. Bester and L. Wang and A. Rastelli and O. G. Schmidt and P. Michler},
journal= {arXiv preprint arXiv:0911.1221},
year = {2012}
}
备注
4 pages, 4 figures