半导体势垒隧穿过程中的总角动量守恒
介观与纳米尺度物理
2016-08-16 v3
摘要
我们研究了应变 p-Si/Si_{1-x}Ge_x 双势垒共振隧穿二极管的电输运。对不同阱宽二极管的限制位移、阱中中心势尖峰引起的位移以及磁隧穿光谱表明，前两个共振峰是由于重空穴能级的隧穿引起的，而没有轻空穴态隧穿的迹象。这首次证明了价带共振隧穿中总角动量的守恒。研究还表明，在许多结构中，由于载流子从体发射极态的隧穿，通过轻空穴态的导电是可能的。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0501212,
title = {Total Angular Momentum Conservation During Tunnelling through Semiconductor Barriers},
author = {U. Gennser and M. Scheinert and L. Diehl and S. Tsujino and A. Borak and C. V. Falub and D. Grützmacher and A. Weber and D. K. Maude and Y. Campidelli and O. Kermarrec and D. Bensahel},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0501212},
year = {2016}
}
备注
4 pages, 4 figures