二维拓扑绝缘体中由一维扩展缺陷诱导的拓扑保护金属态
材料科学
2016-08-24 v1 介观与纳米尺度物理
其他凝聚态物理
量子物理
摘要
我们报道第一性原理计算表明，在二维拓扑绝缘体体态中，单个一维扩展缺陷可产生拓扑保护的金属态。我们发现，嵌入在铋双层六方体态中、由一个个八角环和两个五角环周期性单元构成的狭窄扩展缺陷，引入了两对具有相反自旋-动量锁定的一维狄拉克费米子态。尽管这两对狄拉克态都局域在扩展缺陷核心处，但由于扩展缺陷的平庸拓扑性质，它们之间的相互作用被屏蔽。
引用
@article{arxiv.1601.04741,
title = {Topologically-protected metallic states induced by a one-dimensional extended defect in a 2D topological insulator},
author = {E. N. Lima and T. M. Schmidt and R. W. Nunes},
journal= {arXiv preprint arXiv:1601.04741},
year = {2016}
}
备注
6 pages, 4 figures, 2 tables