三维准晶体中基于第三陈数的拓扑能隙标记
介观与纳米尺度物理
2022-03-23 v1
摘要
我们研究了一般三维准晶体的拓扑能隙标记，发现谱中每一个能隙都由一组第三陈数刻画。我们证明准周期结构具有由冗余波矢定义的多个布里渊区，且能隙下方的态数目量子化为这些布里渊区体积的整数线性组合。通过考虑准周期势循环形变下的绝热电荷泵浦与六维绝缘体中拓扑非线性电磁响应之间的形式关系，表征能隙的相应量子数可表示为第三陈数。
引用
@article{arxiv.2201.04820,
title = {Topological gap labeling with the third Chern numbers in three-dimensional quasicrystals},
author = {Kazuki Yamamoto and Mikito Koshino},
journal= {arXiv preprint arXiv:2201.04820},
year = {2022}
}
备注
8 pages, 2 figures