拓扑端态与超分子器件的增强热电性能
计算物理
2025-12-03 v1
摘要
具有拓扑端态和非共价键接合的超分子器件（SMD）鲜有被研究，但被认为适用于热电（TE）应用。我们基于 Su-Schrieffer-Heeger（SSH）链设计了一种新型 SMD，并使用非平衡绿函数（NEGF）方法计算其热电性能。通过在不同优化条件下扩展 TE 性能，我们找到了最佳情景。我们的结果表明，现存的拓扑端态确实导致功率系数达到一个大值，在较宽的化学势（掺杂）范围内实现无量纲性能指标 ZT 超过 2。此外，通过对系统施加各种扰动，包括端态位移、结构变化和无序性，我们发现该 SMD 系统具有显著的开关效应，进一步优化其 TE 应用的性能。
引用
@article{arxiv.2511.08943,
title = {Topological end state and enhanced thermoelectric performance of a supramolecular device},
author = {Wenlai Mu and Nisar Muhammad and Huaihong Guo and Zsolt Gulacsi and Teng Yang and Zhidong Zhang},
journal= {arXiv preprint arXiv:2511.08943},
year = {2025}
}