有机 Mott 绝缘体中 Hubbard U 的太赫兹频率调制
强关联电子
2015-12-10 v2
摘要
我们利用具有稳定载波包络相位偏移的中红外脉冲来驱动电荷转移盐 ET-F2TCNQ（一种典型的一维 Mott 绝缘体）中的分子振动。我们发现，通过 10 fs 激光脉冲共振探测到的 Mott 能隙随泵浦场振荡。这一观测结果表明，分子激发可以通过改变局部轨道波函数，相干地扰动电子在位相互作用（Hubbard U）。能隙以振动模式频率的两倍振荡，表明分子畸变与局部电荷密度呈二次耦合。
引用
@article{arxiv.1409.1088,
title = {THz-Frequency Modulation of the Hubbard U in an Organic Mott Insulator},
author = {R. Singla and G. Cotugno and S. Kaiser and M. Först and M. Mitrano and H. Y. Liu and A. Cartella and C. Manzoni and H. Okamoto and T. Hasegawa and S. R. Clark and D. Jaksch and A. Cavalleri},
journal= {arXiv preprint arXiv:1409.1088},
year = {2015}
}