费米子莫特绝缘体中双占据的调制光谱与动力学
其他凝聚态物理
2015-05-13 v1 强关联电子
摘要
我们计算了通过调制光晶格势能在近半填充的三维费米子莫特绝缘体中产生双占据的速率。在高温下,非相干空穴导致以哈伯德排斥能为中心的宽响应峰。在低温下,反铁磁序导致空穴的相干峰,以及代表自旋波甩出过程的宽特征。这表现为双占据产生率中尖锐的吸收边和随调制频率变化的振荡。因此,调制光谱可用作探测系统中反铁磁序和准粒子激发性质的手段。
引用
@article{arxiv.0902.2586,
title = {Modulation Spectroscopy and Dynamics of Double Occupancies in a Fermionic Mott Insulator},
author = {Rajdeep Sensarma and David Pekker and Mikhail D. Lukin and Eugene Demler},
journal= {arXiv preprint arXiv:0902.2586},
year = {2015}
}
备注
4 pages 2 figures