通过无能谱 X 射线散射研究 Mott 绝缘体的电子结构
强关联电子
2009-11-07 v2
摘要
尽管经过半个多世纪的深入研究，Mott 绝缘体的电子结构仍是一个尚未解决的物理学中的主要问题。诸如光电子或中子散射等成熟的动量分辨率光谱学无法探测整个 Mott 能隙。我们报告了利用高分辨率共振无能谱 X 射线散射观察到在高 Tc 亲本氧化物 Ca2CuO2Cl2 中跨越 Mott 能隙的无位移电子激发，从而阐明了 Mott 能隙各向异性问题。结果为 Hubbard 模型提供了直接支持，说明其可描述跨越 Mott 能隙的电子激发。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0102489,
title = {Electronic Structure of Mott Insulators Studied by Inelastic X-ray Scattering},
author = {M. Z. Hasan and E. D. Isaacs and Z-X. Shen and L. L. Miller and K. Tsutsui and T. Tohyama and S. Maekawa},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0102489},
year = {2009}
}
备注
5 pages, 4 figures, Revised