面向热效率更佳的3-D集成电路的Through Silicon Via感知设计规划
硬件体系结构
2025-08-20 v1 新兴技术
摘要
3-D集成电路因通过硅通孔结构(TSV)所实现的带宽提升和导线缩短而具有性能优势。传统上，TSV被认为可以提高垂直方向的热导率。然而，随着TSV尺寸和间距继续缩小至微米级范围且金属-绝缘体比例变小，TSV via农场（用于信号总线连接层间的TSV孔集群）的横向热阻效应日益重要。Consequently，密集的TSV农场会在薄化硅胶基板中产生横向热阻，加剧局部热点。本文提出一种针对3-D IC的热感知via农场布置技术，以最小化由密集信号总线TSV结构引起的横向热阻。
引用
@article{arxiv.2508.13160,
title = {Through Silicon Via Aware Design Planning for Thermally Efficient 3-D Integrated Circuits},
author = {Yibo Chen and Eren Kurshan and Dave Motschman and Charles Johnson and Yuan Xie},
journal= {arXiv preprint arXiv:2508.13160},
year = {2025}
}