超导穿硅通孔的制备
量子物理
2021-03-16 v1 超导电性
应用物理
摘要
基于超导量子比特的量子系统内电路复杂度的增加需要在保持量子比特相干性的同时实现高连接度。经典微电子系统已通过使用带有穿硅通孔（TSVs）的中介层的 3D 集成应对了互连密度挑战，但将这些集成技术扩展到超导量子系统颇具难度。在此，我们讨论实现高深宽比超导 TSVs——宽 10 m、长 20 m、深 200 m——的方法，其密度为每平方毫米 100 个电隔离 TSVs。我们表征了超导 TSVs 在低温下的直流与微波性能，并展示了大于 20 mA 的超导临界电流。这些高深宽比、高临界电流超导 TSVs 将实现超导量子处理器内的高密度垂直信号布线。
引用
@article{arxiv.2103.08536,
title = {Fabrication of superconducting through-silicon vias},
author = {Justin L. Mallek and Donna-Ruth W. Yost and Danna Rosenberg and Jonilyn L. Yoder and Gregory Calusine and Matt Cook and Rabindra Das and Alexandra Day and Evan Golden and David K. Kim and Jeffery Knecht and Bethany M. Niedzielski and Mollie Schwartz and Arjan Sevi and Corey Stull and Wayne Woods and Andrew J. Kerman and William D. Oliver},
journal= {arXiv preprint arXiv:2103.08536},
year = {2021}
}
备注
14 pages, 7 figures