超导穿硅通孔作为量子电路中电容元件的表征
量子物理
2023-08-03 v1
摘要
超导量子比特及其相关片上控制结构的较大物理尺寸，对构建大规模量子计算机提出了实际挑战。特别是，transmon需要高质因子的分流电容，通常通过使用大型共面电容器实现。其他组件，如用于量子比特态读取的超导微波谐振器，通常由毫米级长度的共面波导构成。此处我们使用紧凑型超导穿硅通孔（TSV）在量子比特与读取谐振器中实现集总元件电容，以显著减小这两类电路元件的片上占用面积。我们测量了两类器件，表明TSV作为电容性电路元件具有足够质量，并相较现有方法显著减小了尺寸。
引用
@article{arxiv.2308.00834,
title = {Characterization of superconducting through-silicon vias as capacitive elements in quantum circuits},
author = {Thomas M. Hazard and Wayne Woods and Danna Rosenberg and Rabi Das and Cyrus F. Hirjibehedin and David K. Kim and Jeffery Knecht and Justin Mallek and Alexander Melville and Bethany M. Niedzielski and Kyle Serniak and Katrina M. Sliwa and Donna Ruth-Yost and Jonilyn L. Yoder and William D. Oliver and Mollie E. Schwartz},
journal= {arXiv preprint arXiv:2308.00834},
year = {2023}
}