LaSb 和 CeSb 的三维能带结构：能带反转的缺失
材料科学
2017-08-31 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们对拓扑绝缘体候选材料 LaSb 和 CeSb 进行了角分辨光电子能谱 (ARPES) 研究。利用软 X 射线光子，我们精确确定了其三维体能带结构，并揭示在布里渊区角点处的能带反转（实现拓扑绝缘体相的先决条件）在 LaSb 和 CeSb 中均不存在。此外，与使用软 X 射线光子获得的 ARPES 数据不同，使用真空紫外 (VUV) 光子获得的数据被发现存在显著的 展宽。这些结果表明 LaSb 和 CeSb 是拓扑平庸的半金属，且利用 VUV 光子观测到的异常狄拉克锥状态并非源于拓扑效应。
引用
@article{arxiv.1707.05100,
title = {Three-dimensional band structure of LaSb and CeSb:Absence of band inversion},
author = {H. Oinuma and S. Souma and D. Takane and T. Nakamura and K. Nakayama and T. Mitsuhashi and K. Horiba and H. Kumigashira and M. Yoshida and A. Ochiai and T. Takahashi and T. Sato},
journal= {arXiv preprint arXiv:1707.05100},
year = {2017}
}
备注
5 pages, 3 figures, to appear in Phys. Rev. B, Rapid Communications