中高注入水平下半导体p-n结的肖克利型边界条件
材料科学
2007-05-23 v2
摘要
经典的肖克利边界条件用于确定半导体p-n结空间电荷区边缘的少子浓度。它们通常用于计算p-n结的电流-电压特性。这项工作表明，它们仅在低注入电流水平下有效。获得了中高注入水平下这些边界条件的新的解析表达式。通过计算在高电流水平下工作的p-n结的电流-电压特性来验证这些表达式。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0609141,
title = {The Shockley-type boundary conditions for semiconductor p-n junctions at medium and high injection levels},
author = {Miron J. Cristea},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0609141},
year = {2007}
}
备注
7 pages