MgB2与常见基片及电子材料的反应性研究
超导电性
2009-11-07 v1
摘要
报告了MgB2与常见基片和电子材料粉末型态的反应性。研究了600℃至800℃之间的反应温度，这些温度覆盖了薄膜制造中常用的范围。测试的材料包括ZrO2、氧化锆稳定氧化锆 (YSZ)、MgO、Al2O3、SiO2、SrTiO3、TiN、TaN、AlN、Si和SiC。600℃时，MgB2仅与SiO2和Si发生反应。而在800℃时，MgB2与Al2O3、SiO2、Si、SiC和SrTiO3均发生反应。其中，MgB2与SiC和Al2O3的反应导致其临界温度Tc下降。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0109370,
title = {The Reactivity of MgB2 with Common Substrate and Electronic Materials},
author = {T. He and John M. Rowell and R. J. Cava},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0109370},
year = {2009}
}
备注
5 figures