硅衬底上高密度 GeSe 三角形纳米片阵列的合成与温度依赖光致发光
量子物理
2020-07-15 v3 物理学史与哲学
科普物理
摘要
我们利用简单的热蒸发方法在 Si (111) 衬底上生长了高密度（3.82E+6 / mm2）的硒化锗（GeSe）三角形纳米片阵列（TNAs）。通过原子力显微镜（AFM）统计估计单个三角形纳米片的厚度与三边长度分别为 44 nm、365 nm、458 nm 和 605 nm。透射电子显微镜（TEM）图像与 X 射线衍射（XRD）图谱表明，该 TNAs 由单晶 GeSe 相组成。TEM 图像与拉曼振动模式也揭示了晶格中与 Se 相关的缺陷。与先前报道的 GeSe 化合物不同，GeSe TNAs 表现出温度依赖的光致发光（PL）。此外，44 nm 厚 TNAs 在 5 K 下未曾被报道的 PL 峰（1.25 eV）位于 GeSe 单层（1.5 nm）与薄膜（400 nm）的 PL 峰之间，揭示了 PL 峰与 GeSe 厚度之间的紧密关系。Si 衬底上 TNAs 的高密度结构与温度依赖 PL 可能有助于温度可控半导体纳米器件。
引用
@article{arxiv.2001.00188,
title = {The Platonic solids and fundamental tests of quantum mechanics},
author = {Armin Tavakoli and Nicolas Gisin},
journal= {arXiv preprint arXiv:2001.00188},
year = {2020}
}
备注
Accepted for publication in Quantum