PdSe2 薄片中缺陷的温度敏感空间分布
介观与纳米尺度物理
2021-04-15 v1 材料科学
摘要
缺陷工程在调控范德瓦耳斯材料的电子输运性质方面起着重要作用。然而,它通常是通过调节缺陷的类型和浓度来实现,而非动态重构其空间分布。在此,我们报道了通过扫描隧道显微镜(STM)观察到的 PdSe2 薄薄片中缺陷的温度敏感空间重分布。我们观察到 PdSe2 薄片中 Se 空位的空间分布在 80 K 下表现出强烈的各向异性特征,且这一依赖取向的特征在温度升高时减弱。此外,我们对 PdSe2 薄薄片进行了输运测量,表明载流子迁移率和相位相干长度的各向异性特征也对温度敏感。结合理论分析,我们得出结论:温度驱动的缺陷空间重分布可解释 PdSe2 薄薄片中温度敏感的输运行为。我们的工作强调,此前被忽视的范德瓦耳斯材料缺陷空间分布工程,可能为调控材料物理性质和探索新器件功能开辟新途径。
引用
@article{arxiv.2104.06642,
title = {Temperature-sensitive spatial distribution of defects in PdSe2 flakes},
author = {Xiaowei Liu and Yaojia Wang and Qiqi Guo and Shijun Liang and Tao Xu and Bo Liu and Jiabin Qiao and Shengqiang Lai and Junwen Zeng and Song Hao and Chenyi Gu and Tianjun Cao and Chenyu Wang and Yu Wang and Chen Pan and Guangxu Su and Yuefeng Nie and Xiangang Wan and Litao Sun and Zhenlin Wang and Lin He and Bin Cheng and Feng Miao},
journal= {arXiv preprint arXiv:2104.06642},
year = {2021}
}
备注
24 pages, 12 figures, accepted by Physical Review Materials