FeTe$_{0.55}$Se$_{0.45}$范德瓦耳斯隧穿器件

我们报道了将FeTe$_{0.55}$Se$_{0.45}$与其他范德瓦耳斯材料集成的器件制备，并测量了变磁场与低至35 mK温度下的输运性质及隧穿谱。输运测量可靠且可重复，揭示的温度与磁场依赖性与先前结果一致，证实制备工艺未改变块体性质。然而，横截面扫描透射显微镜揭示表面氧化，这可能解释隧穿器件制备产率较低的原因。尽管如此，我们观察到通过MoS$_2$势垒进入FeTe$_{0.55}$Se$_{0.45}$的平面硬能隙隧穿。值得注意的是，最小硬能隙0.5 meV在$ab$面内高达9 T磁场、面外高达3 T磁场下持续存在。这可能是极小结尺寸或涡旋束缚态间量子极限最小能级间距所致。我们还观察到缺陷辅助隧穿，表现出偏置对称的共振态，可能源于共振Andreev过程。