基于 SiC/Si/SiC 夹层法的 4H-SiC 表面结构化
材料科学
2024-10-11 v1 应用物理
摘要
对 4H-SiC(0001) 4°off 垂片进行针对不同图案的表面结构化，采用 Si 熔融于 SiC-Si-SiC 夹层配置进行宏观级结构化。对于凹沟图案样品，观察到 Si 扩散困难；而针对坡面图案样品的尝试更为成功。在后者情况下，干刻蚀区和未刻蚀区均形成平行宏观级结构化，但这些结构化较少跨越图案边界。提出的机制涉及在 Si-C 双层阶缘处的优先刻蚀以及沿 [1120] 方向的快速横向扩散。
引用
@article{arxiv.2410.07680,
title = {Surface Structuring of Patterned 4H-SiC Surfaces Using a SiC/Si/SiC Sandwich Approach},
author = {Yann Jousseaume and Piyush Kumar and Marianne Etzelmüller Bathen and François Cauwet and Ulrike Grossner and Gabriel Ferro},
journal= {arXiv preprint arXiv:2410.07680},
year = {2024}
}