GaAs/AlAs微腔中天然缺陷的结构与零维极化激元谱
光学
2012-11-14 v1 材料科学
摘要
我们报道了通过分子束外延生长的平面半导体微腔中天然缺陷的结构和光学性质的相关研究，这些缺陷显示出局域化的极化激元谱，如Zajac等人所述，Phys. Rev. B 85, 165309 (2012)。利用聚焦离子束(FIB)和扫描电子显微镜(SEM)研究了缺陷的三维空间结构。我们发现缺陷源于GaAs层厚度的局部增加。椭圆形缺陷的调制高度可达140nm，圆形缺陷可达90nm，而横向延伸约为2μm（椭圆形）和4μm（圆形）。GaAs厚度的增加归因于生长过程中由于Ga电池喷溅而沉积的Ga液滴。在液滴沉积之后，厚度调制横向扩展同时高度减小，形成椭圆形到圆形的界面和表面凸起。随着生长温度升高，凸起的椭圆度减小，尺寸增大。这表明扩展与Ga的表面迁移率有关，随着温度升高，迁移率增加并减小了[110]和[1-10]晶向之间的各向异性。我们提供了使用微分干涉对比(DIC)显微镜测量的缺陷表面轮廓、使用FIB/SEM获得的体积信息以及由此产生的受限极化激元谱的表征等综合数据。
引用
@article{arxiv.1208.0178,
title = {Structure and zero-dimensional polariton spectrum of natural defects in GaAs/AlAs microcavities},
author = {Joanna M Zajac and Wolfgang Langbein},
journal= {arXiv preprint arXiv:1208.0178},
year = {2012}
}