半导体微腔中的相干扩展与极化激元凝聚体形成
介观与纳米尺度物理
2013-04-18 v4
摘要
基于杨氏双缝实验，在 3 ps 脉冲激发及极化激元 Bose-Einstein 凝聚条件下，研究了高 Q 值 GaAs 微腔中极化激元系统的一阶空间相干性 的扩展动力学。研究发现，在凝聚体形成过程中，相干性以约 cm/s 的恒定速度扩展。在凝聚体密度增长期间，测得的相干性小于热平衡系统中的相干性，而在凝聚体衰变结束时则远超后者。空间相干性的 onset 由极化激元弛豫主导，而凝聚体振幅和相位涨落并未受到抑制。
引用
@article{arxiv.1210.6906,
title = {Coherence expansion and polariton condensate formation in a semiconductor microcavity},
author = {V. V. Belykh and N. N. Sibeldin and V. D. Kulakovskii and M. M. Glazov and M. A. Semina and C. Schneider and S. Höfling and M. Kamp and A. Forchel},
journal= {arXiv preprint arXiv:1210.6906},
year = {2013}
}
备注
5 pages, 3 figures