GaAs/AlAs 平面微腔中束缚于缺陷的极化激元态
材料科学
2012-04-16 v1 光学
摘要
我们报道了在分子束外延生长的平面 GaAs/AlAs 微腔中束缚于缺陷的极化激元态。与这些结构中空间极化激元动力学相关的缺陷类型是交叉影线失配位错，以及延伸数微米的点状缺陷。我们将后一种缺陷归因于 Ga 源在生长过程中偶尔发射的 Ga 液滴。这些缺陷，也称为卵形缺陷，导致表面出现穹顶状的局部调制，这种调制被传递到腔结构中，并引起腔极化激元能量高达 15 meV 的横向调制。由此产生的面内极化激元运动的空间局域化势阱形成了一系列束缚态。这些态通过实空间和倒空间的频谱分辨透射成像进行了表征，揭示了缺陷产生的空间势。有趣的是，缺陷态表现出长达 10 ps 量级的长寿命，我们将其归因于空间平滑的束缚势。
引用
@article{arxiv.1111.6012,
title = {Polariton states bound to defects in GaAs/AlAs planar microcavities},
author = {Joanna M Zajac and Wolfgang Langbein and Maxime Hugues and Mark Hopkinson},
journal= {arXiv preprint arXiv:1111.6012},
year = {2012}
}