Hubbard 模型的强耦合扰动理论
强关联电子
2009-10-31 v1
摘要
本文提出并计算了 Hubbard 模型的强耦合扰动理论，计算精度达到 (t/U)^5 阶，用于任意维度下的单粒子格子函数。谱权 A(k,omega) 被表示为 Jacobi 连分数，并与一维半填充 Hubbard 模型的新蒙特卡罗数据进行比较。在温度-掠跌率 (T,t) 平面上，识别出绝缘体、导体和短程反铁磁相三个不同相 regime。该工作完成了于1998年发表于《Phys. Rev. Lett. 80, 5389》的论文的详细补充，提供了图谱规则和更高阶结果的细节。此外，讨论了非半填充情况、图谱的无限求和以及双占据问题。还 presented了该方法的各种测试。
关键词
引用
@article{arxiv.cond-mat/9905242,
title = {Strong-Coupling Perturbation Theory of the Hubbard Model},
author = {Stephane Pairault and David Senechal and A. -M. S. Tremblay},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9905242},
year = {2009}
}
备注
28 pages, 19 figures