三带Hubbard模型的强耦合图技术
强关联电子
2019-05-21 v1
摘要
利用强耦合图技术，推导了描述高铜氧化物Cu-O平面的三带Hubbard模型的空穴格林函数方程。这些方程在如下近似下自洽求解：将不可约部分按氧-铜跳跃常数幂次展开的级数截断至两个最低阶项。对于空穴掺杂铜氧化物所用参数，计算得到的能谱由以下部分构成：主要为铜性质的下、上Hubbard子带，含有少量铜态混杂的氧带，以及位于下Hubbard子带与氧带之间的混合性质的Zhang-Rice态。该能谱还包含铜位上Hubbard原子跃迁频率附近的赝能隙。
引用
@article{arxiv.1510.03624,
title = {Strong Coupling Diagram Technique for the Three-Band Hubbard Model},
author = {A. Sherman},
journal= {arXiv preprint arXiv:1510.03624},
year = {2019}
}
备注
10 pages, 3 figures, To appear in Proceedings of Intern. Conference "Electron Correlations in Nanostructures", September 3-6, 2015, Odessa, Ukraine