具有多压电特性的交替磁性单层中的应变工程自旋-谷锁定效应
材料科学
2024-12-10 v1
摘要
最近，交替磁性（AM）在凝聚态系统中引起了广泛关注，这归因于实空间和倒空间中交替自旋所导致的物理性质。在本工作中，我们提出了一种稳定的Janus单层Nb2SeTeO，具有交替磁性基态和一种新型的自旋-谷锁定（SVL）效应。该Janus单层Nb2SeTeO展现出多压电效应，具有显著的面外压电性和具有大谷极化的压电谷效应。压电谷效应由不同方向上的单轴应变效应诱导，贡献了交替磁性系统中的反常谷霍尔效应（AVHE）。此外，压缩单轴应变可以在交替磁性系统中诱导量子反常霍尔效应（QAHE），其中无耗散拓扑边缘态的手性可通过单轴应变方向来调控。这些可实现的拓扑相变可通过交替磁性系统中的压电谷效应来实现。此外，交替磁性量子自旋霍尔效应（QSHE）可由双轴应变效应诱导，贡献量子化自旋霍尔电导。我们的工作揭示了应变工程技术在调控单层Janus Nb2SeTeO中无耗散边缘态方面可作为一种重要方法。通过设计SVL效应，交替磁性系统中可涌现出新物理，如AVHE、QAHE和QSHE。
引用
@article{arxiv.2412.05597,
title = {Strain-engineering spin-valley locking effect in altermagnetic monolayer with multipiezo properties},
author = {Yuqian Jiang and Xinge Zhang and Haoyue Bai and Yuping Tian and Wei-Jiang Gong and Xiangru Kong},
journal= {arXiv preprint arXiv:2412.05597},
year = {2024}
}
备注
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