交变磁体 V2SeTeO 单层中的多重压电效应
材料科学
2023-08-02 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
受近期关于 V2Se2O 单层中有趣的压磁性与 C 配对谷极化的理论提议启发，我们利用密度泛函理论计算预测了一种具有交变磁体构型的稳定反铁磁 Janus 单层 V2SeTeO。它展现出结合压电、压谷与压磁的新型多重压电效应。最有趣的是，V2SeTeO 在应变下的谷极化与净磁化强度均超过 V2Se2O，并附带额外的大压电系数 e31（0.322*10-10 C m-1）。该多重压电效应使反铁磁 Janus 单层 V2SeTeO 成为在纳米电子学、光电子学、自旋电子学与谷电子学中具有潜在应用的诱人材料。
引用
@article{arxiv.2308.00234,
title = {Multipiezo effect in altermagnetic V2SeTeO monolayer},
author = {Yu Zhu and Taikang Chen and Yongchang Li and Lei Qiao and Xiaonan Ma and Tao Hu and Heng Gao and Wei Ren},
journal= {arXiv preprint arXiv:2308.00234},
year = {2023}
}
备注
20 pages,9 figures