磁场中金属-绝缘体-窄禁带半导体结构内的自旋相关隧穿
凝聚态物理
2016-08-31 v1
摘要
我们给出了在高达6 T的磁场中，对0.165<x<0.2的p-Hg_{1-x}Cd_{x}Te-氧化物-Al结构进行隧穿研究的结果。研究了由半导体体内能谱的朗道量子化引起的隧穿电导振荡。在面内磁场下，发现与隧穿进入‘a’和‘b’自旋子能级相关的隧穿电导极大值的振幅彼此显著不同，且振幅比随结构不同而变化。为了理解这种行为的原因，我们考虑了多带能谱，计算了该磁场方向下的隧穿电导。结果表明，不同自旋子能级对隧穿电导的贡献是不相似的，它们之间的关系强烈依赖于表面势的值。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9611149,
title = {Spin-dependent tunneling in metal-insulator-narrow gap semiconductor structures in a magnetic field},
author = {G. M. Minkov and O. E. Rut and A. V. Germanenko},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9611149},
year = {2016}
}
备注
15 pages (RevTex), 11 PostScript figures