基于 Bethe Ansatz 局域密度近似的格点占据嵌入理论
强关联电子
2018-06-13 v3 化学物理
量子物理
摘要
格点占据嵌入理论（SOET）是模型哈密顿量密度泛函理论（DFT）的一种替代表述，其中完全相互作用的 Hubbard 问题原则上被精确映射到一个杂质相互作用（而非无相互作用）的问题上。它为结合基于波函数（或格林函数）的方法与 DFT 提供了一个严格的框架。在这项工作中，我们在 SOET 的背景下推导了均匀 Hubbard 模型单格点能量和双占据数的精确表达式。从这些推导中可以明显看出，除了单格点关联能之外，所谓的“浴”贡献是 SOET 中需要建模的关键密度泛函量。我们构建了基于 Bethe ansatz 以及 Hubbard 模型和单杂质 Anderson 模型微扰解的各种近似，并在一维环上进行了测试。嵌入杂质波函数的自洽计算采用了密度矩阵重整化群方法。结果表明，在特定的关联和密度区间内获得了有前景的结果。为了提供可靠的嵌入泛函和势，我们提出了可能的进一步发展方案。
引用
@article{arxiv.1710.03125,
title = {Site-Occupation Embedding Theory using Bethe Ansatz Local Density Approximations},
author = {Bruno Senjean and Naoki Nakatani and Masahisa Tsuchiizu and Emmanuel Fromager},
journal= {arXiv preprint arXiv:1710.03125},
year = {2018}
}
备注
Regular article with 14 pages including 6 figures