投影位点占据嵌入理论

位点占据嵌入理论 (SOET) [B. Senjean et al., Phys. Rev. B 97, 235105 (2018)] 是一种原则上精确的嵌入方法，结合了波函数理论和密度泛函理论，在应用于一维 Hubbard 模型时给出了有希望的结果。尽管其整体性能良好，SOET 面临着计算成本问题，因为其辅助杂质相互作用系统保持为整个系统的大小（随着系统尺寸的增加，计算成本呈指数增长，这存在问题）。在本工作中，通过采用 Schmidt 分解规避了这一问题，从而在保持相同精度的同时大幅降低了计算成本。我们表明，SOET 的这一投影版本 (P-SOET) 与其他嵌入技术（如密度矩阵嵌入理论 (DMET) [G. Knizia and G. K-L. Chan, Phys. Rev. Lett. 109, 186404 (2012)]）具有竞争力。与后者相比，密度泛函贡献在 P-SOET 的框架中自然发挥作用，没有任何额外的计算成本或重复计算效应。作为一个重要结果，密度驱动的 Mott-Hubbard 相变（在 DMET 或动力学平均场理论中由多个杂质位点显示）首次用单个杂质位点得到了很好的描述。