Householder变换的密度矩阵泛函嵌入理论
强关联电子
2021-07-12 v3 化学物理
摘要
基于（单电子约化）密度矩阵的量子嵌入通过酉Householder变换被重新审视。所得Householder变换的密度矩阵泛函嵌入理论（Ht-DMFET）在非相互作用情形下是精确的，且等价于密度矩阵嵌入理论（DMET）（但形式上更简单），并且通过构造在引入电子关联时保持浴区的单粒子特性。在Ht-DMFET中，投影的“杂质+浴区”团簇的哈密顿量（可从中提取相互作用晶格的近似局域性质）成为密度矩阵的显式泛函。本着单杂质DMET的精神，我们在本工作中考虑由全尺寸非相互作用密度矩阵构造的闭合（双电子）团簇。当考虑（Householder变换的）浴位点上的相互作用时，对半填充一维Hubbard晶格获得的每格点能量在所有关联区域几乎完美匹配精确的Bethe Ansatz结果。在强关联区域，结果在远离半填充时变差。这可归因于（双格点）团簇中的电子数涨落，其在Ht-DMFET和常规DMET中均未被描述。正如预期，当增加嵌入杂质数目时每格点能量显著改善。与密度/密度矩阵泛函理论的正式联系已被简要讨论，应进一步探索。目前正朝此方向推进工作。
引用
@article{arxiv.2103.04194,
title = {Householder transformed density matrix functional embedding theory},
author = {Sajanthan Sekaran and Masahisa Tsuchiizu and Matthieu Saubanère and Emmanuel Fromager},
journal= {arXiv preprint arXiv:2103.04194},
year = {2021}
}
备注
18 pages, 10 figures