Xenon1T中的发光暗物质

我们指出，一个通过高阶维Rayleigh算符与可见物质相互作用的非相对论性$\sim 2$ GeV暗物质（DM）可以解释Xenon1T合作组近期观测到的“电子反冲”事件超出。一次暗物质散射事件产生一个几keV的光子，其平均携带大部分沉积能量，而核反冲能量仅为次要修正。由于Xenon1T探测器无法区分电子与光子，此类事件将被解释为keV电子的超出。来自暗物质湮灭的间接约束可通过具有与中微子可观耦合的${\mathcal O}(10~{\rm MeV})$轻媒介子规避。暗物质中单圈诱导的无自旋散射可能很快带来确认信号，或已排除Rayleigh暗物质模型可行参数空间的区域，这取决于未知的非微扰核矩阵元的确切数值。