XENON1T 超出事件源于简单暗区模型的证据
高能物理 - 唯象学
2020-12-04 v2 高能天体物理现象
摘要
我们提出，星系中 keV 暗费米子湮灭产生的近无质量暗光子可引发 XENON1T 实验中最近观测到的电子反冲事件超出。其最小模型为 规范对称的扩展，在此对称下暗光子同时耦合于暗物质流和可见物质流。我们发现暗区的最佳拟合参数与恒星冷却的最严格约束相容。我们还表明，在冻结出场景中，暗费米子可解释该反常，同时贡献 的 DM 遗迹密度。
引用
@article{arxiv.2007.06401,
title = {Evidence of a simple dark sector from XENON1T excess},
author = {Cheng-Wei Chiang and Bo-Qiang Lu},
journal= {arXiv preprint arXiv:2007.06401},
year = {2020}
}
备注
5 pages, 3 figures. v2: minor changes to match the published version