增强自相互作用暗物质与XENON1T超出事件
高能物理 - 唯象学
2022-05-11 v4 宇宙学与河外天体物理
高能物理 - 实验
摘要
我们提出一种自相互作用增强暗物质(DM)情形，作为对XENON1T实验近期报道的电子反冲事件超出的可能解释。标准模型(SM)已通过两个在暗规范对称性下带电的矢量型费米子单态进行扩展以描述暗 sector。轻矢量玻色子媒介子的存在导致充分的DM自相互作用以解决冷暗物质的小尺度问题，而具有亚GeV尺度DM的模型可通过增强DM组分在探测器处与电子的弹性散射来解释XENON1T超出。DM向轻媒介子的强湮灭导致被压低的熱遗迹。暗冻结退出与标量 late decay 的非热贡献的混合设置可给出正确的遗迹丰度。我们将模型与XENON1T数据拟合，并找到与DM自相互作用、DM-电子散射率以及天体物理和宇宙学观测一致的最终参数空间。与所有这些约束和要求一致的一小片参数空间可在近未来实验中得到进一步审视。
引用
@article{arxiv.2107.13176,
title = {Boosted Self-Interacting Dark Matter and XENON1T Excess},
author = {Debasish Borah and Manoranjan Dutta and Satyabrata Mahapatra and Narendra Sahu},
journal= {arXiv preprint arXiv:2107.13176},
year = {2022}
}
备注
30 Pages, 13 captioned figures, Version accepted for publication in Nucl. Phys. B