用衰变冷暗物质解释XENON过剩
高能物理 - 唯象学
2021-05-26 v3 宇宙学与河外天体物理
高能物理 - 实验
摘要
我们提出一种衰变冷暗物质模型，以解释XENON1T实验观测到的电子反冲过剩。在该场景中，母暗物质衰变产生的子暗物质轻易获得足够大的速度，以饱和约2.5 keV处的电子反冲能量峰值，且观测到的信号率可由质量为10-200 MeV量级、寿命大于宇宙年龄的母暗物质满足。我们验证了该模型与暗物质探测、宇宙微波背景和大型结构实验的实验限制相一致。
引用
@article{arxiv.2012.10827,
title = {Resolving XENON Excess With Decaying Cold Dark Matter},
author = {Shuai Xu and Sibo Zheng},
journal= {arXiv preprint arXiv:2012.10827},
year = {2021}
}
备注
v3: to match the published version