非弹性暗物质电子散射与 XENON1T 超出事件
高能物理 - 唯象学
2020-09-02 v3 宇宙学与河外天体物理
高能物理 - 实验
摘要
通过暗物质（DM）探测电子反冲可揭示暗 sector 的结构。我们考虑这样一种情形：较重的 DM 粒子非弹性地散射电子并转化为较轻的 DM 粒子。两个 DM 粒子间的小质量差被转化为电子反冲能量。我们研究由有质量暗光子介导的 DM-电子相互作用，并在考虑原子结构的情况下评估非弹性 DM 散射率。研究发现，由于小的质量分裂，散射率显著增强，这使得与小电子波函数尺度相匹配的小动量转移成为可能。我们表明，存在一个可行的参数空间，能够解释 XENON1T 实验近期报告的约 2-3 keV 电子反冲事件超出。
关键词
引用
@article{arxiv.2006.11938,
title = {Inelastic Dark Matter Electron Scattering and the XENON1T Excess},
author = {Keisuke Harigaya and Yuichiro Nakai and Motoo Suzuki},
journal= {arXiv preprint arXiv:2006.11938},
year = {2020}
}
备注
7 pages, 5 figures, version to be published in Physics Letters B