XENON1T中的赝Dirac暗物质
高能物理 - 唯象学
2020-06-30 v1
摘要
XENON1T暗物质实验近期报道了0.65吨·年的电子反冲曝光测量，显示 KeV 反冲超出探测器本底。本文提出一种赝Dirac暗物质情景，通过非弹性暗物质-电子散射解释该超出。在赝Dirac暗物质两分量间存在KeV量级质量分裂时，轻微激发的分量可在电子上发生下散射。所需的暗物质质量约为10 GeV，质量分裂为4 KeV，与电子的耦合常数为1，由此产生观测到的XENON1T反冲事件，给出恰当的暗物质遗迹丰度，并满足对撞机搜索限制。
引用
@article{arxiv.2006.16145,
title = {Pseudo-Dirac Dark Matter in XENON1T},
author = {Wei Chao and Yu Gao and Ming jie Jin},
journal= {arXiv preprint arXiv:2006.16145},
year = {2020}
}
备注
9 pagers, 3 figures