非相对论暗物质电子反冲引起的 Xenon1T 超出
高能物理 - 唯象学
2021-05-18 v2 宇宙学与河外天体物理
摘要
我们表明，若由 MeV 量级轻赝标量介导，非相对论暗物质相互作用诱导的电子反冲可很好地拟合近期报道的 Xenon1T 超出。这是由于所得散射率的有利动量依赖性，部分补偿了倾向于强烈抑制 keV 电子反冲的不利运动学。我们研究了该介质的现象学并确定了与所有实验限制相容的 Xenon1T 超出的允许参数空间。我们还发现，在此情形下可同时解释缪子与电子的反常磁矩 ，代价是耦合存在百分之几量级的精细调节。
引用
@article{arxiv.2011.08919,
title = {Xenon1T excess from electron recoils of non-relativistic Dark Matter},
author = {Dario Buttazzo and Paolo Panci and Daniele Teresi and Robert Ziegler},
journal= {arXiv preprint arXiv:2011.08919},
year = {2021}
}
备注
5 pages, 4 figures; v2: updated experimental values for (g_2)_mu; some clarifications and references added; conclusions unchanged; version published in PLB