XENON1T 超出事件对暗物质解释的含义

近期在 XENON1T 探测器观测到过量的电子反冲事件，其暗物质解释似乎面临挑战，因为暗物质速度不足以产生 $\mathcal{O}({\rm keV})$ 量级的反冲电子。快动或 boosted 暗物质情景作为解决此问题的方案受到关注，使暗物质解释成为说明该反常现象的一种可能。我们研究了自旋为 0 和 1/2 的此类暗物质通过矢量、赝标量或标量媒介子与电子相互作用的多种情景。我们找到了不仅能重现该超出事件而且与现有界限一致的参数值。我们的研究表明，该超出事件所偏好的质量与耦合参数的尺度主要受媒介子类型影响，并且显著 boosted 的暗物质可依据媒介子类型及其质量选择解释该超出事件。本工作提出的方法具有一般性，因此可直接应用于暗物质直接探测实验中观测数据的解释。