通过硅化作用在空气中自形成亚 10 纳米纳米间隙用于电阻开关
材料科学
2013-03-20 v1
摘要
我们开发了一种简单可靠的方法来制造宽度小于 10 纳米的纳米间隙。这种自形成的纳米间隙基于硅化过程中金属原子与 Si 原子之间的化学计量固相反应。纳米间隙的宽度由金属层的厚度决定。我们提出的方法可以在一个独特的工艺步骤中产生对称或不对称电极的纳米间隙，以及多个纳米间隙，适用于复杂电路。因此，该方法提供了高通量，适合大规模生产。为了证明所提出制造方法的可行性，我们构建并表征了纳米间隙电阻开关。它们在空气中表现出明显的滞后现象，开/关电导比高达 103。我们的结果表明，将器件初始电形成至开关状态的电压由纳米间隙尺寸决定。然而，器件的置位和复位电压并不强烈依赖于纳米间隙宽度。这些现象有助于理解电阻开关是如何建立的。
引用
@article{arxiv.1303.4586,
title = {Self-Formation of Sub-10-nm Nanogaps by Silicidation for Resistive Switch in Air},
author = {Xiaohui Tang and Laurent A. Francis and Constantin Augustin Dutu and Nicolas Reckinger and Jean-Pierre Raskin},
journal= {arXiv preprint arXiv:1303.4586},
year = {2013}
}
备注
26 pages, 6 figures, a research report