利用大规模电子结构计算研究硅解理中形成的纳米尺度结构：表面重构、台阶与弯曲
材料科学
2007-05-23 v3
摘要
通过针对大规模电子结构的量子力学计算，我们研究了硅解理中的 10 nm 尺度结构。在 10 ps 量级的解理过程表现出表面重构和台阶形成。通过分析电子自由度研究了这些过程，并与 STM 实验进行了比较。讨论给出了实验观察到的 - 模式（超越了传统的表面能量方法）的稳定性机制。此外，在若干结果中，由于不同解理模式之间的相对稳定性，解理路径弯曲至实验观察到的晶面。最后，从非平衡过程和 10 nm 尺度结构的观点出发，讨论了解理与其他现象之间的若干共同特征。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0409142,
title = {Nanoscale structures formed in silicon cleavage studied with large-scale electronic structure alculations; surface reconstruction, step and bending},
author = {Takeo Hoshi and Yusuke Iguchi and Takeo Fujiwara},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0409142},
year = {2007}
}
备注
11 pages, 10 figures. A (heavier) PDF file with a better graphics is available at http://fujimac.t.u-tokyo.ac.jp/hoshi/