硅 cleavage 过程中大比例电子结构理论与纳米缺陷
材料科学
2007-05-23 v1
摘要
构建了若干方法用于大规模电子结构计算。进行了最多 10^7 原子数的测试计算。作为应用，利用 10 nm 规模的分子动力学模拟研究了硅的 cleavage 过程。除了 (111)-(2x1) 表面的基本形成过程外，我们获得了纳米尺度的缺陷，即阶梯形成和 cleavage 路径弯曲成偏好 (实验观察到的) 平面。这些结果与实验结果一致。此外，模拟结果预测在 cleavage 表面上会出现明显的阶梯结构，这在偏置依赖的 STM 图像中显示出来。
关键词
引用
@article{arxiv.cond-mat/0508277,
title = {Large-scale electronic-structure theory and nanoscale defects formed in cleavage process of silicon},
author = {T. Hoshi and R. Takayama and Y. Iguchi and T. Fujiwara},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0508277},
year = {2007}
}
备注
4 page 4 figures. A PDF file with better graphics is available at http://fujimac.t.u-tokyo.ac.jp/lses/