解理硅发光测量
材料科学
2007-08-15 v1
摘要
本文概述了利用真空解理发光探测方法进行的实验结果，旨在获取关于解理硅表面结构和性质的进一步信息。实验涉及在高真空环境中通过解理薄硅片产生发光，并通过将发光转换为放大电信号的过程进行检测。
引用
@article{arxiv.0708.1847,
title = {Measurements of Luminescence from Cleaved Silicon},
author = {Dongguang Li},
journal= {arXiv preprint arXiv:0708.1847},
year = {2007}
}
备注
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