磷掺杂 CdTe 中的自补偿效应

我们研究了磷掺杂 CdTe 中的自补偿机制。通过第一性原理计算，探讨了几种可能导致自补偿的磷相关点缺陷的形成能、电荷跃迁能级和缺陷态。此外，我们评估了自旋轨道耦合和超胞尺寸效应对 AX 中心施主稳定性的影响，这些施主被认为是自补偿的主要原因。我们报告了磷间隙原子 (P$_\text{i}$) 最低能量构型的改进结果，并发现自补偿机制并非源于 AX 中心的形成。在富 Te 生长条件下，当费米能级接近价带时，(P$_\text{i}$) 的形成能低于替位受主 (P$_\text{Te}$)，充当补偿施主。而对于富 Cd 生长条件，我们的结果表明 p 型掺杂受到 (P$_\text{Te}$-V$_\text{Te}$) 复合物形成的限制。